[17p-A35-1~6] 半導体放射線検出器の最新動向

16:15 〜 16:45

[17p-A35-6] 大面積CdTeフォトンカウンティングX線イメージャーの開発

〇青木 徹^1,2、西澤 潤一¹、加瀬 裕貴¹、都木 克之^1,2 (1.静岡大電子研、2.ANSeeN)

キーワード：

半導体、CdTe

100µm画素ピッチのCdTeを用いた大面積フォトンカウントX線FPDを開発した。0.75mm厚のダイオード型CdTeを80µmの超低消費電力フォトン電荷読み出し回路と接続し、1モジュールは96×96画素で12×12モジュール（9.6mm角）をタイル状に配置し、約4.5インチの大面積FPDを試作した。超高精度3D-IC積層技術を活用し読み出しLSIを薄型化、TSVを形成し100µmピッチの接続パッドに銀系バンプ材を形成し、CdTeとフリップチップ接合した。タイル間ギャップは1ピクセル、CdTe間物理距離は40µmで、信号・電源は90°クロスで供給され、FPGAとDPSを介して信号出力した。CdTe-FPDのDQEやMTFなどの特性を議論する。