[18a-A21-1~11] 23.1 合同セッションN「インフォマティクス応用」

11:15 〜 11:30

[18a-A21-9] Beyond 2nmロジックノード向け単元系金属配線－SiO₂絶縁膜間の界面熱抵抗：ニューラルネットワークポテンシャルを利用した分子動力学計算

〇橋本 修一郎¹、西村 祐亮²、渡邉 孝信^1,2 (1.早大SEES、2.早大理工)

キーワード：

配線、熱抵抗、機械学習分子動力学計算

Beyond 2nmロジックノードにおいて、Ruを含む高融点金属配線材料の採用は従来のCu配線を置き換えるInterconnect Boosterとして期待されている。高密度集積回路（VLSI）では、配線故障要因となるエレクトロマイグレーションを引き起こすSelf-Heating Effectが金属配線および層間絶縁膜によって変化する。特に、Interlayerを含むRu/SiO₂界面では材料間の接合状態に応じて界面熱抵抗（TBR：Thermal Boundary Resistance）が変化する。このため、細線化された多層配線構造では異種材料間の熱輸送が重要となる。本研究は、Ru等の単元系高融点金属とSiO₂層間絶縁膜の界面熱抵抗について、ニューラルネットワークポテンシャルに基づく機械学習分子動力学計算を行った。