[18a-A33-1~10] 3.11 ナノ領域光科学･近接場光学

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[18a-A33-5] フォトクロミック結晶におけるナノ光記憶の部分的消去と再構成

〇(D)土山 晃平^1,2、堀崎 遼一¹、内田 欣吾³、堀 裕和⁴、内山 和治⁴ (1.東大院情理、2.学振特別研究員(DC1)、3.龍谷大理工、4.山梨大工)

キーワード：

フォトクロミック結晶、ナノフォトニクス、走査型近接場光学顕微鏡

近年，近接場光を用いることで，フォトクロミックジアリールエテン結晶にナノメートルスケールで情報を記憶させる手法が提案され，光記憶デバイスの実現が期待されている。先行研究においては，ナノメートルスケールの情報が排他的に保存されることが実験により示され，追加記憶についての特性が明らかにされた。本研究では，フォトクロミック結晶の部分的な記憶消去を実現し，消去特性についてさらなる検討を行った。