[18a-B6-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

11:00 〜 11:15

[18a-B6-8] SiO₂表面のプラズマ窒化処理によるチャネル層形成効率の向上

〇後藤 直樹¹、冨士谷 大生¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：

有機半導体

本研究では，ペンタセンを用いた有機MOSにおいてホールをより深く界面付近まで侵入させることを目的としている．
有機MOSひいてはOTFTの特性改善には有機半導体/絶縁膜界面の欠陥の修復が重要である．界面の欠陥の原因として，SiO₂表面のOH基によるトラップが考えられる．本研究では， SiO₂表面にプラズマ窒化処理を行うことで，ペンタセン/SiO₂界面のOH基を除去し，欠陥の修復を目指す．