[18a-P05-1~32] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[18a-P05-1] 蒸着ジアリールエテン膜巨大表面電位の紫外光照射による低下メカニズムと光耐久性

〇辻岡 強¹、川島 弘之²、小池 健仁²、松本 直樹²、沈 君偉³、中村 振一郎³ (1.大阪教育大学、2.東ソー（株）、3.熊本大学)

キーワード：

巨大表面電位、ジアリールエテン、光安定性

真空蒸着で形成された低分子膜に巨大表面電位（GSP）が生じ、環境発電デバイスへの応用が期待されている。我々は、ジアリールエテン(DAE)分子においても大きなGSPを発現することを報告してきた。DAEではその分子構造に依存して、UV光照射に対して急激に表面電位が低下する分子や、極めて安定な分子が存在し、絶縁性の高い分分子が優れた光安定性を示すことが判明した。