[18p-A34-1~16] 3.10 フォトニック構造・現象

16:45 〜 17:00

[18p-A34-12] GaN系二重格子PCSELの格子間距離と発振特性

〇十鳥 雅弘¹、北村 篤史¹、小泉 朋朗^2,1、江本 渓^2,1、De Zoysa Menaka¹、小川 健志¹、井上 卓也¹、石崎 賢司¹、吉田 昌宏¹、勝野 峻平¹、野田 進¹ (1.京大院工、2.スタンレー電気)

キーワード：

フォトニック結晶レーザー

我々は，これまでフォトニック結晶レーザーにGaN 系半導体を採用した青色領域の PCSEL の開発を進め，デバイスの作製技術と構造設計を深化させ，発振特性の向上を図ってきた．最近では，面内・外の光波結合の制御が可能な二重格子構造フォトニック結晶を用いて，面内の光結合を強める孔の重心間距離(d=λ/2 λ:媒質内波長)の構造について検討を進めてきた．そして，今回，面内の光結合を弱める重心間距離(d=λ/4)の構造について，これまでの構造(d=λ/4)と比較しながら検討を進めたので報告する．