[18p-B5-1~15] 11.4 アナログ応用および関連技術

14:00 〜 14:15奨励賞エントリー

[18p-B5-5] 超伝導細線三端子素子のパルス電流応答シミュレーション

〇安川 直輝¹、山梨 裕希²、吉川 信行²、西尾 太一郎¹、馬渡 康徳³ (1.東理大、2.横国大、3.産総研)

キーワード：

超伝導細線クライオトロン、三端子素子、時間依存ギンツブルグ-ランダウ方程式

超伝導単一磁束量子回路と半導体CMOS回路を組み合わせた超高性能ハイブリッドシステムの実現のために必要なインターフェイスとして、超伝導細線三端子素子が期待されている。しかしながら、その三端子動作特性の理解は不十分である。本研究では、時間依存Ginzburg-Landau方程式と熱拡散方程式を数値的に解くシミュレーションを行い、三端子素子のゲートにパルス電流を入力した後にチャネルが常伝導転移して電圧が発生する機構を明らかにした。