[18p-D63-1~17] 12.1 作製・構造制御

14:30 〜 14:45

[18p-D63-6] 液晶相温度で加熱後のPh-BTBT-10多結晶薄膜における高移動度を示すための最適な熱アニール処理条件

〇中野 博貴¹、岡 昂徹²、塩谷 暢貴²、長谷川 健²、飯野 裕明¹ (1.東工大未来研、2.京大化研)

キーワード：

Ph-BTBT-10、液晶、アニール

液晶性有機半導体であるPh-BTBT-10は、高い配向秩序性を有しながら平坦で均一な多結晶薄膜が実現可能であり、有機薄膜トランジスタへの応用が期待されているが、スメクチックE（SmE）相温度で加熱すると移動度が低下することが確認されている。本研究では、液晶相温度で加熱後のPh-BTBT-10多結晶薄膜において、前講演の赤外分光法とX線回折法で明らかになった構造・物性相関と合わせて、高移動度を示すための最適な熱アニール処理条件を検討した。