[18p-P08-1~18] 12.4 有機EL・トランジスタ

[18p-P08-4] α-(BEDT-TTF)₂I₃における金属-絶縁体相転移ダイナミクスの計算

〇綿貫 凌¹、安東 龍一¹、渡邉 拓郎¹、小林 亮大¹、酒井 正俊¹ (1.千葉大院工)

キーワード：

強相関物質、電界効果トランジスタ、電子状態計算

有機強相関物質の一つであるα-(BEDT-TTF)₂I₃を用いた相転移型FETの動作の理解を目的として2次元モデル計算を行った。電荷秩序相に対して伝導面内方向の外部電場を印加した際の各独立サイトの電荷密度の時間発展を計算した．伝導面内の強電場の影響によってトランスファー積分が変化することで電荷秩序状態が融解し，電荷密度が等価な金属相に変化する過程がみられた。