[19a-B6-1~9] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[19a-B6-6] 双性イオン配位子の置換基間隔の制御によるペロブスカイト量子ドットの光安定性の向上

〇(B)飯塚 琢朗¹、森川 結策²、千葉 貴之^3,6、柏木 幹文⁴、浅倉 聡⁵、増原 陽人^6,2 (1.山形大工、2.山形大院理工、3.山形大院有機シス、4.日本ゼオン、5.伊勢化学、6.山形大有機材料シスセ)

キーワード：

ペロブスカイト、量子ドット、光安定性

ペロブスカイト量子ドット（PeQDs）は、優れた光学特性を示す発光材料である。しかし、PeQDsの励起に必要な光照射により、表面保護基である配位子が脱離し光学特性が著しく低下する。これに対し本発表では、キレート効果による結合力向上が狙える双性イオン配位子に着目し、光照射時に生じるPeQDs表面からの配位子の脱離抑制に効果的な双性イオン配位子の置換基間隔の検討とそれに伴う光安定性への影響を報告する。