[20p-C32-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

13:30 〜 13:45

[20p-C32-3] 組成を変化させた極薄窒化Si膜の接触抵抗の調査

〇伊藤 雄飛¹、Huynh Thi Cam Tu¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：

太陽電池、パッシベーション技術、Cat-CVD

組成を変化させた極薄窒化Si膜の接触抵抗について調査を行った。I–V測定から得た抵抗値は電極間距離を広げると徐々に上昇する傾向が確認できた。TLM法で接触抵抗を計算した結果、接触抵抗が急激に上昇する膜厚が存在することが確認でき、臨界膜厚よりも薄い膜ではトンネル効果による電気伝導が行われていることが示唆される。また、組成によって臨界膜厚が変化しており、SiH₄流量が多いほど臨界膜厚が厚くなることも明らかにした。