[10a-C214-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ・フレキシブルデバイス

9:00 〜 9:15

[10a-C214-1] MoO₃を堆積したP3HT表面の導電性向上

〇幡野 貫太¹、前田 雄翔¹、佐藤 櫂吏¹、小野島 紀夫¹ (1.山梨大)

キーワード：

TLM法、三酸化モリブデン、P3HT

本研究では，MoO₃の堆積がP3HT表面の導電性に及ぼす影響を明らかにするため， MoO₃を堆積したデバイスを作製し，電気伝導性を評価した．その結果，MoO₃を堆積したデバイスでは大きな電流値が確認された．一方，MoO₃を堆積していないデバイスでは顕著な電流は確認されなかった．これは，MoO₃を堆積することによって，MoイオンがP3HTのHOMO準位とAl電極の仕事関数の間に電荷移動準位を形成し，キャリアの移動が促進されたためと考えられる．