講演情報
[10a-PA5-2]Si(111)基板上に成長したGaAsナノワイヤのペロブスカイト被覆検討
〇(M1)米谷 和真1、戸田 大翔1、朝日 重雄1、喜多 隆1 (1.神戸大院工)
キーワード：
化合物半導体、ナノワイヤ、ペロブスカイト
Si(111)基板上において、自己触媒型気相–液相–固相（VLS）法により成長するIII–V族半導体ナノワイヤ（NWs）については、その成長メカニズムの解明およびデバイス応用に向けた検討が進められている。一方、デバイス応用の観点からは、形成されたNWsを何らかの方法で被覆する必要がある。本研究では、形成されたNWsをペロブスカイト材料で被覆し、デバイス応用の可能性を検討することを目的として、被覆後の断面観察を行った。