講演情報
[10a-PB1-18]2Dペロブスカイト生成の抑制による無機ハロゲン化スズ量子ドットインクの高品質化と太陽電池への応用
〇(M1)大出 蒼空1、杨 永阁1、海野 弘貴1、早瀬 修二1、沈 青1 (1.電気通信大学)
キーワード：
量子ドット、ペロブスカイト、太陽電池
近年、優れた光特性を持つペロブスカイト量子ドット（PQD）太陽電池が注目されているが、鉛の毒性が課題であり、低毒性なスズ（Sn）への代替が求められている。しかし、従来のCsSnI3 PQD合成で用いられる長鎖リガンドのOAmやOAは、高バンドギャップな2Dペロブスカイトの過剰生成を誘発し、量子ドット間のキャリア移動を阻害するという問題があった。 そこで本研究では、これら長鎖リガンドを1nm以下の短鎖リガンドへと置換する手法を試みた。その結果、発光スペクトルにおいて2Dペロブスカイト由来のピークが減少し、その生成を抑制することに成功した。本成果は、量子ドット間距離の短縮によるキャリア移動度の向上をもたらし、Sn系PQD太陽電池の実用化に向けたQDインクの高品質化およびデバイスの高効率化に有効な手法である。