[10p-A24-1~15] 11.4 接合，回路作製プロセスおよびディジタル応用

14:00 〜 14:15

[10p-A24-1] 800μ秒超のエネルギー緩和時間を有する全窒化物超伝導量子ビット

〇金 鮮美¹、寺井 弘高²、布施 智子¹、Ashhab Sahel¹、白井 菖太郎³、野口 篤史^3,4,5、仙場 浩一^1,6 (1.情通機構、2.情通機構(神戸)、3.理研RQC、4.東大総合文化、5.InaRIS、6.東大理)

キーワード：

超伝導量子ビット、NbN、コヒーレンス

従来のAl素子に比べ、全窒化物超伝導量子ビットはエピタキシャル障壁によるTLS低減や大きなエネルギーギャップによるデコヒーレンス抑制という利点を持つ。本発表では、シリコン基板上全窒化物トランズモン量子ビットのコヒーレンス向上への取り組みを報告する。結晶成長や素子構造の最適化に加え、TiN共振器の採用やパッケージ改善を行い、エネルギー緩和時間（T₁）で800μsを超える高コヒーレンス化に成功した。