[10p-E207-1~12] 22.1 合同セッションM「フォノンエンジニアリング」

15:15 〜 15:30

[10p-E207-7] SiGe混晶における低エネルギー局在フォノンモードの熱伝導率への影響の解析: 分子動力学計算による研究

〇宮城 太一¹、西村 祐亮¹、並木 大輔¹、横川 凌^2,3,4、小椋 厚志^4,5、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.広大RISE、3.広大先進理工、4.明大MREL、5.明大理工)

キーワード：

SiGe、分子動力学、熱電発電

SiGe混晶で観測される低エネルギー局在フォノンモードが熱伝導率に及ぼす影響を、分子動力学（MD）計算により解析した。Geクラスターサイズをmonomer、dimer、trimer、pentamerに統一したSi_0.92Ge_0.08モデルを作成し、非平衡MDで熱伝導率を評価した。その結果、クラスターサイズが小さいほど熱伝導率は低下し、局在フォノンモード強度との明確な相関が確認された。