[10p-E207-1~12] 22.1 合同セッションM「フォノンエンジニアリング」

15:30 〜 15:45奨励賞エントリー

[10p-E207-8] Si/SiGe多層膜の熱伝導率温度依存性を用いた界面フォノン散乱評価

〇小田島 綾華^1,2、柳澤 亮人³、Anufriev Roman¹、辻井 直人⁴、森 孝雄⁴、澤野 憲太郎²、野村 政宏¹ (1.東大生研、2.東京都市大、3.東京理科大、4.物質・材料研究機構)

キーワード：

熱電材料、Si/SiGe多層膜、結晶成長