講演情報
[10p-PB1-6]VO₂/AZO/polyimide/quartz積層構造における電圧印加による赤外光スイッチング特性
〇會田 駿1、沖村 邦雄1 (1.東海大院工)
キーワード：
二酸化バナジウム
二酸化バナジウム(VO2)は, 室温で単斜晶系を構成しており, 約68℃で正方晶系へと転移することで絶縁体-金属転移(Insulator-Metal-Transition : IMT)を引き起こす.このIMTにより, 抵抗値や光学特性に大きな変化をもたらすためスマートウィンドウやテラヘルツ波帯の光通信・センシングなどへの応用が期待されている. このVO2を柔軟な基板上に成長させることができれば, 軽量化, 薄型化及び曲面への適用といった利点が生じる. 本実験ではフレキシブル基板として耐久性及び耐熱性が高いポリイミドを採用し, 透明導電性を有するAlドープZnO (AZO)をバッファー層として導入することで, AZOを下部電極とした光スイッチング特性の評価を行った.