[10p-PB3-1~43] 10 スピントロニクス・マグネティクス（ポスター）

[10p-PB3-24] Fe/MgO/Fe(001)の界面アニオン置換によるスピン輸送特性制御の第一原理計算

〇名和 憲嗣¹、中村 浩次² (1.産総研、2.三重大院工)

キーワード：

磁気トンネル接合、磁気抵抗効果、第一原理計算

Fe/MgO/Fe(001)型の磁気トンネル接合（MTJ）素子において、MgO中の界面アニオンをO^2-からN^3-およびF^-に置換したときのトンネル磁気抵抗（TMR）比と面積抵抗（RA）値の第一原理計算結果を報告する。