[11a-E215-1~7] CS.10 6.5 表面物理・真空、7.5 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

10:15 〜 10:30

[11a-E215-5] Si酸化過程における酸素吸着配向の再解釈

〇津田 泰孝¹、岡部 優希²、WEN Hengyu²、吉越 章隆¹、小川 修一²、髙桑 雄二³ (1.原子力機構、2.日本大学、3.東北大学)

キーワード：

シリコン、酸化、X線光電子分光

Si表面酸化過程においてO₂解離により生成するO原子の吸着配向は、これまでO 1s XPSスペクトル解析からins, tri, adの3種類とされてきた。酸化開始後、insが優先的に増加し、triとadは緩やかに増加する。高温・長時間酸化による酸化膜（0.8 nm）では、3本のSi-O結合をもつtriが主成分となっている。これは酸化膜がSi-O-Si結合から構成されることと矛盾する。本研究では、SiO2膜に印加される酸化誘起応力と熱膨張係数の差による熱応力の影響を解明するため、p-Si(001)表面酸化における急冷・急昇温にともなうSi 2pとO 1sスペクトルの化学シフト成分をリアルタイム観察した。