[11p-E308-1~10] 17.2 基礎物性

14:45 〜 15:00

[11p-E308-6] 架橋型単層WSe₂におけるダークエキシトンの発光増強

〇松山 圭吾¹、マリアーニ ジャコモ¹、徐 学俊¹、若村 太郎¹、佐々木 智¹、好田 誠^2,3,4、新田 淳作^1,2、眞田 治樹¹ (1.NTT物性基礎研、2.東北大院工、3.先端スピントロニクス研究開発センター、4.量子科学技術研究開発機構)

キーワード：

遷移金属カルコゲナイド、二セレン化タングステン、ダークエキシトン