講演情報
[11p-E311-4]Pr3+:Y2SiO5量子メモリ特性向上のための除振ステージの開発
〇(M1)岡村 成樹1、吉田 大輔2,3、長野 晃士3、世取山 尚義1、小澤 陽1,2、堀切 智之1,2 (1.横浜国大院理工、2.横浜国大 IMS、3.LQUOM)
キーワード：
量子メモリ、atomic frequency comb、除振ステージ
Pr3+:Y2SiO5結晶を用いたatomic frequency comb量子メモリにおいて、冷却機の振動に伴う吸収線幅の増大が課題である。本研究では倒立振子とヒートリンクを用いた極低温用受動除振ステージを開発し、free induction decay信号の測定により線幅の周期的な広がりの抑制を確認した。当日は狭間隔なatomic frequency combの検証等も報告する。