講演情報
[11p-E311-5]外部磁場補償による希土類添加量子メモリの効率振動の抑制
〇(M2)佐々木 康多1、宮﨑 陽士2、野田口 祐大2、世取山 尚義2、小松平 竜馬2、長野 晃士4、吉田 大輔3,4、洪 鋒雷2,3、小澤 陽2,3、堀切 智之2,3,4 (1.横浜国大院先進、2.横浜国大院理工、3.横浜国大IMS、4.LQUOM)
キーワード：
量子メモリ、希土類イオン添加結晶
希土類イオン添加結晶を用いたAtomic Frequency Comb方式の量子メモリにおいて、Dynamical Decouplingシーケンス適用時に生じる保存効率の時間的振動が課題となっていた。本研究では三軸コイルによる外部磁場補償系を構築し、地磁気等に起因するスピン準位の分裂・干渉を抑制することで、振動の低減に成功した。本発表では、磁場補償系および効率振動の磁場依存性について報告する。