講演情報
[11p-E311-6]167Er3+:Si での ZEFOZ 遷移を用いた極限的なスピンコヒーレンス時間伸長の理論予測
〇松浦 求磨1、Hughes Mark A.2、安井 翔一郎1、鍜治 怜奈1、俵 毅彦3、足立 智1 (1.北大院工、2.英サルフォード大、3.日本大)
キーワード：
量子メモリ、量子情報
通信波長帯に光学遷移を持つ167Er3+:Siはオンチップ量子メモリの有力候補である。本研究では通常Si環境におけるスピンコヒーレンス時間（T2hyp）の極限を理論評価した。実効ハミルトニアンによる探索から、2次磁場感度 S2 が最小となる |0>-|1> 遷移（0.74 T付近）を特定した。理論上 T2hyp は7,502秒（約125分）に達し、長寿命量子メモリ実現への明確な設計指針を与える。