講演情報

[8a-E201-4]Cryo-GCIB-TOF-SIMS深さ方向分析によるペロブスカイト太陽電池の光劣化解析

〇浅原 千鶴1、藤山 紀之1、二村 寛子1、稲元 伸1、中村 智也2,3、チョン ミンアン2、若宮 淳志2 (1.東レリサーチセンター、2.京大化研、3.理研–京大光量子化学連携拠点)

キーワード:

ペロブスカイト太陽電池、TOF-SIMS、分析

ペロブスカイト太陽電池の材料劣化は、実用化における信頼性の観点で重要な課題の一つである。本研究では、光照射によるペロブスカイト層の組成変化の解明および劣化解析を目的として、cryo-GCIB-TOF-SIMSを用いた深さ方向分析を行った。その結果、ペロブスカイト層中の有機カチオンの脱離とCsIリッチ相形成の進行を示し、光劣化に伴うデバイス劣化への関与が示唆された。