講演情報

[8a-E201-5]ペロブスカイト層に侵入したフラーレンの電子受容特性と高い電子収集特性の起源

〇戸崎 椋太1、岩澤 柾人2、吉田 弘幸1,3 (1.千葉大院工、2.日産化学、3.千葉大MCRC)

キーワード:

ペロブスカイト太陽電池、フラーレン

逆型ペロブスカイト太陽電池では、フラーレン誘導体のみが電子輸送層として高い光電変換効率を示す。本研究では、MAPbI3中に侵入したC60およびPTCDAの電子状態をGCIB-UPS/XPSにより評価した。その結果、侵入したETLは電子を受容して負に帯電し、欠陥パッシベーションに寄与していることが示唆された。さらにUPS/LEIPS解析から、C60はPTCDAより小さいオンサイトクーロンエネルギーを示し、これが強い電子受容能と優れた電子収集特性の起源であることが示唆された。