[8a-E217-1~7] 9.5 新機能材料・新物性

10:00 〜 10:15

[8a-E217-1] 単一原料を用いた真空蒸着法によるMg₃Sb₂およびMg₃Bi₂のエピタキシャル成長

〇岩下 智洋¹、栗山 武琉¹、根城 虹希¹、川添 敬介¹、鵜殿 治彦¹、坂根 駿也¹ (1.茨大)

キーワード：

熱電材料、Zintl 層、薄膜

従来の手法に比べて簡便な成膜プロセスである真空蒸着法を用いて単一原料からエピタキシャル薄膜の作製を行った．