講演情報
[8p-E207-4]GaAs(110)へのスピン注入に向けた界面結晶磁気異方性の第一原理計算
〇小川 大空翔1、三浦 良雄1 (1.京都工繊大)
キーワード：
ホイスラー合金、第一原理計算、結晶磁気異方性
本研究ではspin-VCSELへのスピン注入源となりうるFe/MgO(110)磁気トンネル接合(MTJ)及びHeusler合金とレーザーの基板であるGaAs(110)における結晶磁気異方性の第一原理計算を行った。特にHeusler合金としては室温で高いスピン偏極率を持つことが予想されているCo基Heusler合金を考慮した。Heusler合金/GaAs(110)接合の結晶磁気異方性では、多くの界面で垂直の結晶磁気異方性が得られることが分かった。