講演情報

18:00 〜 18:15

[8p-E214-18]スパッタGaN薄膜の堆積後アニールによるイエロールミネッセンス(YL)の制御とシンチレーション特性

〇冨永雄太^1,2、加藤匠²、西川晃弘²、宮﨑慧一郎²、上岡義弘³、尾崎瑠来³、召田雅実³、中内大介²、河口範明²、柳田健之² (1.福岡大工、2.奈良先端大、3.東ソー(株))

シンチレータ、半導体、GaN