[8p-PA2-1~25] 3.8 テラヘルツ全般

[8p-PA2-18] 半絶縁性GaAsにおけるコヒーレント縦光学フォノン減衰レートの飽和

〇竹内 日出雄^1,2,3、西村 拓也¹ (1.阪公立大工、2.上智大理工、3.大阪市立大工)

キーワード：

コヒーレント縦光学フォノン、テラヘルツ時間領域分光、ポンプ・プローブ分光法

半絶縁性GaAsにおけるコヒーレント縦光学フォノン減衰レートを透明領域光ポンプ・プローブ分光法とテラヘルツ時間境域分光を用いて探査した。結果，コヒーレント縦光学フォノン減衰レートを光生成キャリア濃度の関数としてプロットすると，飽和特性が発現することを見出した。