講演情報
[9a-B32-11]量子干渉を利用した高オン／オフ比単分子電子スイッチの開発
〇中村 俊介1、ゴンザレス マリアテレサ2、バスケス ヘクター3、西野 智昭1、クエルバ フアン4、藤井 慎太郎1 (1.科学大、2.IMDEA、3.チェコ科学アカデミー、4.グラナダ大学)
キーワード：
ナノデバイス、熱起電力
本研究では、DQIを利用した高On/Off比単分子電子スイッチの実現を目的として、二種類のアンカー部位を有する折れ曲がり型オリゴフェニレンエチレン誘導体 (m-OPE) を対象として、STM-BJ法による伝導度測定や熱起電力測定を行った。para型類似体のp-OPEに対して、DQIが期待される接合における伝導度が、2桁以上低くなることを確認した。また、ゼーベック係数の絶対値も著しく大きくなり、これはDQIによる伝導度の低下を示唆するものである。