[9a-B32-1~12] 12.2 評価・基礎物性

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[9a-B32-2] リンカー構造の異なるSi2x2単分子トランジスタの電気特性比較

〇高橋 来輝¹、古島 弥来²、伊澤 誠一郎¹、小野 倫也²、新谷 亮³、真島 豊¹ (1.科学大フロ研、2.神大院工研電電、3.阪大院基礎工物質創生)

キーワード：

単一分子トランジスタ、単一分子接合、ナノギャップ電極

単分子トランジスタ(SMT)において分子構造と電子輸送機構の相関解明は重要である。本研究ではビフェニル基と、ねじれを抑制し π 共役を維持しやすいエチニルフェニル基をリンカー基として有する Si2x2 誘導体を合成し、無電解金めっき（ELGP）で作製した Au/Ptナノギャップ電極に剛直な骨格分子を化学吸着させた SMT を作製した。リンカー構造の違いが SMT 特性および分子内 π 共役に及ぼす影響を検討する。