[9a-B32-1~12] 12.2 評価・基礎物性

10:00 〜 10:15

[9a-B32-5] 単一分子架橋系トランジスタのスイッチング性能の第一原理計算による研究

〇古島 弥来¹、植本 光治¹、小野 倫也¹ (1.神戸大工)

キーワード：

分子エレクトロニクス、第一原理計算

単一分子架橋系トランジスタのスイッチング性能を第一原理計算により予測した。状態密度の計算により、分子のHOMOがゲート電圧によって、大きく上下することが明らかとなった。これによりトランジスタとして充分な電流のon/off比が期待される。