[9a-C213-1~13] 3.8 テラヘルツ全般

9:00 〜 9:15

[9a-C213-1] GaAs系THz量子カスケードレーザの高出力化および低電流密度化に関する解析

〇矢部 航輝^1,2、石田 峻之¹、藤川 紗千恵^2,1、津田 祐樹³、宮川 敬太³、秋山 浩一³、鈴木 洋介³、林 宗澤^4,1、矢口 裕之²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大、3.三菱電機、4.東北大)

キーワード：

量子カスケードレーザ、NEGF、テラヘルツ

テラヘルツ量子カスケードレーザ（THz-QCL）の高出力化を目的として，高ドーピングGaAs系THz-QCLにおける量子構造およびドーピング位置の影響を非平衡グリーン関数法により解析した。膜厚およびドーピング位置の最適化により光利得の向上を確認するとともに，バリア厚の調整によって高光利得を維持したまま電流密度を低減できる可能性を示した。