[9a-C213-1~13] 3.8 テラヘルツ全般

9:15 〜 9:30

[9a-C213-2] 活性領域の多積層化および高ドーピング濃度化によるGaAs系テラヘルツ量子カスケードレーザーの高出力動作

〇石田 峻之¹、矢部 航輝^2,1、林 宗澤^3,1、津田 祐樹⁴、宮川 敬太⁴、秋山 浩一⁴、鈴木 洋介⁴、藤川 紗千恵^2,1、矢口 裕之²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大、3.東北大、4.三菱電機)

キーワード：

量子カスケードレーザー、テラヘルツ、半導体レーザー