講演情報
[9a-C213-7][第60回講演奨励賞受賞記念講演] テラヘルツシリコン導波路による共鳴トンネルダイオードの発振制御
〇森田 勇希1、Ngo Nguyen1、猪瀬 裕太1、西田 陽亮2、山田 義春3、山根 秀勝3、村上 修一3、冨士田 誠之1 (1.阪大基礎工、2.ローム、3.大阪技術研)
キーワード：
テラヘルツ、共鳴トンネルダイオード、シリコンフォトニクス
共鳴トンネルダイオード（RTD）はテラヘルツ帯で基本波発振し，空間光学系を利用した注入同期による発振制御が可能である．一方，さらなる小型集積化に向け，テラヘルツ帯で極低損失（<0.1 dB/cm）かつRTDと高効率結合（>80%）するシリコン導波路が注目されている．現在まで，本結合系においても，注入同期によるRTDの様々な発振制御技術が実証されており，今後の大規模集積化や通信やセンシング等への応用が期待される．