[9a-C214-1~11] 12.4 有機EL・トランジスタ・フレキシブルデバイス

9:30 〜 9:45

[9a-C214-3] 高耐久HF-OLEDに向けた励起子マネジメント戦略

〇土屋 陽一¹、安達 千波矢^1,2 (1.九大OPERA、2.九大I2CNER)

キーワード：

熱活性化遅延蛍光、ハイパーフルオレッセンス、デバイス寿命

HF-OLED の安定性は、TE 上の長寿命 三重項励起子の蓄積に加え、AD-TE間 の三重項エネルギー移動や分子間相互 作用など、複数の要因に支配されると考えられる。本講演ではHF-OLEDのデバイス安定性について、 ①ピレン修飾における置換位置効果、②置換基の嵩高さによる三重項エネルギー移動抑制、③AD とTEにMR-TADF材料を適用したHF-OLEDという異なる３つの戦略について報告する。