講演情報
[9a-E217-11]熱輻射発電特性のセル温度依存性に及ぼすバンドギャップの影響
〇宮崎 綾花1、佐川 直弥1、Muhammad Waleed Akram1、八木 修平1、矢口 裕之1 (1.埼玉大学)
キーワード：
熱輻射発電
本研究では、InSb PDおよびInGaAs PDを用いて熱輻射発電特性のセル温度依存性を調査した。InGaAs PDでは、絶対値の大きさこそ異なるものの、測定された発電特性の温度挙動は、130 °Cまでは詳細平衡モデルによる計算結果と良好な一致を示した。これとは対照的に、InSb PDではセル温度の上昇に伴って理論上予測される挙動から逸脱し、70 °Cを超える高温域では出力の飽和と低下が見られた。これらの結果は、熱輻射発電において、動作温度範囲に応じた適切なバンドギャップを持つ材料の選択が極めて重要であることを示している。