講演情報
[9a-PA4-20]Metal-Insulatorナノキャビティ基板を用いた単層MoS2の第二次高調波の巨大増強とバレー特性の保持
〇坂田 諒一1,2、篠北 啓介1,2 (1.分子研、2.総研大)
キーワード：
単層MoS2、第二次高調波発生、ナノキャビティ
単層TMDは優れた非線形光学応答を示すが原子層厚みゆえ効率が低く増強技術が必要である。本研究では近接場増強と干渉効果を設計した金属/絶縁体(MI)ナノキャビティ基板を構築し単層MoS2のSHG測定を行った。その結果、従来のSiO2基板と比較して約150倍の巨大なSHG増強を実証した。さらに、強い近接場増強下でも高い円偏光度が維持され、固有のバレー選択則が保護されることを見出した。