講演情報
[9p-A31-1]新規B粉末を用いた拡散法MgB2バルクにおける微細組織制御
〇内田 正和1、野尻 将太1、那須川 雄大1、徳重 学1、下山 淳一1、秋池 良2 (1.青学大理工、2.東ソー(株))
キーワード：
二ホウ化マグネシウム
MgB2は2001年に青山学院大学の秋光教授らのグループによって臨界温度39 Kの超伝導体であることが発見された物質である。MgB2は磁場印加とともに臨界電流密度Jcが急激に低下することから、磁場中Jcの改善がMgB2材料の用途の拡大に向けての最大の課題となっている。MgB2は結晶粒界が主なピンニングセンターとなることから、磁場中Jcの改善には粒界の高密度化などが挙げられる。以上の背景のもと、本研究では開発中の微細なB原料を用いて結晶粒径を制御したMgB2バルクを作製し、微細組織・結晶方位の評価を通じて磁場中Jcの改善方法の確立を目指した。