講演情報
[9p-E204-16]Ag/p-CdTeにおける内部疑似n–p接合モデルと高耐圧化
〇都木 克之1、加瀬 裕貴2、小池 昭史3、三村 秀典2,3、青木 徹2,3 (1.静大工、2.静大電研、3.ANSeeN)
キーワード：
半導体検出器、テルル化カドミウム、電界誘起接合
Ag/p-CdTe放射線検出器に高電圧の電気的エージング処理を施すと、暗電流が抑制され高耐圧化することを報告する。処理前は約100Vだが、処理後ではでは1.5kV（20kV/cm）でも安定動作した。逆バイアスストレスにより自然酸化膜にAg⁺正電荷が蓄積し、反転層が形成される。電気的接合の主役が物理的界面から反転層とp型バルクによる内部疑似n–p接合へ移ることで、物理的脆弱性を回避すると考えられる。