講演情報
[9p-E310-6]オペランドKPFMによるナノスケール電位計測：全固体電池・半導体デバイス解析への応用
〇石田 暢之1 (1.NIMS)
キーワード：
ケルビンプローブ力顕微鏡、III-V族化合物半導体、全固体電池
Kelvin probe force microscopy（KPFM）は、探針-試料間の接触電位差（CPD）を計測することで、試料表面の電位分布をナノスケールで可視化する手法である。これまで、金属、半導体、誘電体、イオン伝導体など、幅広い材料の局所電気特性や界面現象の解析に用いられてきた。近年では、デバイスの小型化・高性能化に伴い、動作状態における局所電位分布を直接可視化するオペランド計測の重要性が高まっており、蓄電池、太陽電池、半導体デバイスなどへの応用が進んでいる。本講演では、KPFMを用いた全固体電池および半導体デバイス評価への応用例を紹介し、プローブ顕微鏡によるデバイス解析の今後の可能性について議論する。