講演情報
[9p-F212-15]量子トランスデューサーの実現に向けたオプトメカニカル結晶の低雑音化に関する検討
〇伊藤 大輔1、関口 雄平1,2,5、岡 飛湧芽3、キム ビョンギ4、Diego Michele3、青山 慶太朗1、権田 陸真1、宮田 隆太郎1、黒川 穂高2,3,5、野村 政宏2,3,5、小坂 英男1,2,5 (1.横国大院理工、2.横国大QIC、3.東大生研、4.科学大、5.横国大IAS)
キーワード：
オプトメカニカル結晶、量子トランスデューサー、シリコン
超伝導量子ビットの光接続に向け、低雑音な量子トランスデューサーが切望されている。本研究ではシリコンオプトメカニカル結晶を作製し、光学特性の励起光強度依存性を検証した。低強度では高い光Q値と分離サイドバンド条件の達成を確認したが、光強度の増加に伴う光線幅の増大が観測され、発熱過程が深刻な課題となることが示された。本講演ではダイヤモンド等の材料系と比較し、低雑音な量子変換に向けた指針を考察する。