講演情報
[9p-S1-5]層状絶縁体におけるトンネル磁気抵抗効果の理論
〇増田 啓介1、Kurniawan Ivan1、三浦 良雄1,2 (1.NIMS、2.京都工繊大)
キーワード：
六方晶窒化ホウ素、トンネル磁気抵抗、磁気トンネル接合
層状絶縁体である六方晶窒化ホウ素 (h-BN) を用いた磁気トンネル接合 (MTJ) において、トンネル磁気抵抗 (TMR) 効果を理論解析した結果について紹介する。我々は第一原理計算とLandauer理論に基づく計算の結果、hcp-Co/h-BN/hcp-Co(0001) が500%を超える高いTMR比を有することを見出した。またこのTMR比はhcp-CoにNiをドープすることによって更に向上することもわかった。詳細な解析の結果、この高いTMR比は強磁性電極の表面状態が共鳴トンネルを起こすことで生じていることが明らかになった。このような物理機構はこれまでに議論されてきたバルク状態由来のΔ1コヒーレントトンネル機構や界面状態由来の界面共鳴トンネル機構とは異なるものと考えられる。