[3P-3] 最新技術 3

[3P26] 放電プラズマ惹起エンドサイトーシスによるゲノム汚染のない革新的な分子・遺伝子導入技術

*神野 雅文^1,3、池田 善久¹、木戸 祐吾²、佐藤 晋^1,3 (1. 愛媛大学工学部、2. パール工業株式会社、3. 株式会社アイジーン)

キーワード：

エンドサイトーシス、遺伝子導入、分子導入、放電プラズマ、ゲノム汚染

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