高温素材プロセッシング

9:00 〜 9:15

[31-01] KF-KCl-K2SiF6溶融塩中におけるシリコン電析

^〇安田 幸司¹、前田 一真¹、野平 俊之¹、萩原 理加¹、本間 敬之² (1. 京都大学、2. 早稲田大学)

司会:佐々木 秀顕(東京大学)

新規な電解めっき法として、923 KのKF-KCl-K2SiF6溶融塩を電解質に用いたSi電析に関する研究を行った。この溶融塩は、平滑電析に有望であるフッ化物塩であるにも関わらず、カチオンとしてカリウムのみを含有しているため、水への溶解度が高く水洗が容易であるという特長を有する。Ag電極を作用極に用いたサイクリックボルタンメトリーと微分ボルタンメトリーにより、Si(IV)イオンの還元挙動を分析した。その結果、走査速度の平方根に比例するピーク電流密度と、走査速度の増加にともなうピーク電位のシフトが観察され、Si(IV)の還元反応が非可逆過程であることが明らかとなった。サイクリックボルタンメトリーの結果から、Si(IV)イオンの拡散係数、律速過程における反応電子数と移動係数を求めた結果についても報告する。