リサイクル

10:00 〜 10:15

[2603] 化合物半導体の塩化アンモニウムを用いたインジウムの乾式回収

^○松下大志¹, 平澤政廣¹, 寺門修² (1.名古屋大学大学院, 2.函館工業高等専門学校)

司会:芳賀一寿(秋田大学)

キーワード：

レアメタル、リサイクル、塩化揮発

Inは近年の需要の増加から、安定供給の面で大きな懸念がある。また現在主流のリサイクル法は、大量の酸やpH調整剤を必要とし、環境負荷の高さが問題になっている。本研究では半導体材料として有用なリン化インジウム（InP）を対象とし、NH₄Clを用いた塩化揮発法による成分の分離回収について調査した。また各パラメータが回収率に及ぼす影響を調査するとともに、反応機構の調査を行った。
N_２雰囲気、N₂-O₂雰囲気で塩化処理を行ったところ、O₂共存雰囲気において回収率の減少がみられた。これはInPの酸化反応によって、塩化反応の進行が抑制されたためと考えられる。また反応温度の上昇、NH₄Cl添加量の増加、キャリアガス流量の減少により回収率が向上した。この原因として、気相中のHCl分圧の増加による塩化反応の促進が考えられる。塩化反応によって発生するIn塩化物とP含有化合物の蒸気圧の差により、温度勾配のもとでInとPの回収位置に違いがみられた。このことからInとPの分離回収が可能であることが分かった。塩化反応によって発生した気体を分析したところ、PH₃の発生が確認され、反応機構に関する一定の知見を得た。


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