講演情報

13:30 〜 13:45

[3410-13-03]ナノチャンネル細孔内への強磁性金属の電析

○伊野智尋¹、林田将充²、山本将貴³、大貝猛³ (1. 長崎大学大学院工学研究科、2. 長崎大学工学部、3. 長崎大学工学研究科物質科学部門)

司会：大石哲雄（産業技術総合研究所）
Chairman: Tetsuo Oishi (AIST)

キーワード：

電析

巨大磁気抵抗（GMR）効果や異方性磁気抵抗（AMR）効果を利用した素子は一般に薄膜形状として作製されている。これらを、高アスペクト比を有するナノワイヤー形状にすることで磁気特性の改善が期待できる。材料のナノワイヤー化は、大規模な装置を必要とせず、ナノワイヤーの直径や長さを制御できるアルミナメンブレンフィルタを用いた電析法で行われることが多い。この手法では、アルミナメンブレンフィルタを作製する際の酸化電圧を低下させることで細孔径を絞ることができ、より高いアスペクト比を有するナノワイヤーの作製が実現されている。本研究では、アルミナメンブレンフィルタをテンプレートに用いた強磁性金属のナノワイヤー化において、テンプレート中の細孔径が及ぼす充填率の影響を調査した。その結果、陽極酸化電圧を低下させると、テンプレートに生成する細孔径が小さくなり、また、細孔径の標準偏差が減少することが判明した。また、細孔径の標準偏差が減少することで、ナノワイヤー電析時の電流が細孔へ均等に分配され、多くの細孔に電析でき、充填率が向上することが判明した。

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