プロセス・素材分野ショート講演2

11:00 〜 11:08

[2K0601-14-11] パルス通電焼結装置を用いたClドープSnS焼結体の作製(発表者：修士課程)

○西村 肇¹、平井 伸治¹、鈴木 一誓²、小俣 孝久²、川西 咲子² (1. 室蘭工業大学、2. 東北大学　多元物質科学研究所)

キーワード：

硫化スズ(Ⅱ)、塩化スズ(Ⅱ)、パルス通電焼結装置、固相-液相拡散、n型半導体

SnSは比較的安価であり、高い光吸収係数と太陽電池の光吸収層に最適な1.3eVの間接バンドギャップを持つことから、太陽電池材料としての利用が期待されている。本来、SnSはSn欠損の生成によってp型半導体としての性質を有するが、Clを一定量ドープすることによってn型半導体に変化することが報告されている^[1]。SnSにClをドープする方法の一つとして、パルス通電焼結装置を用いたSnSとSnCl₂の混合粉末を焼結する方法が挙げられる。しかし、この方法では880℃の融点を有するSnSに対して、SnCl₂の融点が247℃と低く、焼結温度によってはSnCl₂の流出によるCl濃度の低下が懸念される。

本研究では、SnSとSnCl₂の混合粉末からパルス通電焼結装置用いてClドープSnS焼結体の作製を試み、SEM-EDXによる組織観察とCl濃度分布などから、均一な焼結体を作製するための焼結条件の最適化を行った。

[1]H.Yanagi et al.: Appl Phys Express.,9, (2016) 051201.