資源・素材2020（仙台）
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セッション詳細

一般講演

新材料

2020年9月9日(水) 11:20 〜 12:20
第3会場
司会：安田幸司（京都大学）
11:20 〜 11:40

[2K0307-09-01]炭素基およびSiC基材料内部の炭素質の電気化学的珪化

○竹田 修1、中村 真聖1、盧 鑫1、朱 鴻民1 (1. 東北大学)
司会：安田幸司（京都大学）
11:40 〜 12:00

[2K0307-09-02]High-Purity Tantalum Powder Production by Electrochemical Reduction of TaS2

○Eltefat Ahmadi1,2, Ryosuke O. Suzuki1, Tatsuya Kikuchi1 (1. Hokkaido University, 2. Japan Society for the Promotion of Science (JSPS))
司会：安田幸司（京都大学）
12:00 〜 12:20

[2K0307-09-03]n型SnS薄膜のスパッタリング法による作製

○鈴木 一誓1、川西 咲子1、Bauers Sage2、Zakutayev Andriy2、柴田 浩幸1、Kim Minesok3、柳 博3、小俣 孝久1 (1. 東北大学、2. NREL、3. 山梨大学)
司会：安田幸司（京都大学）
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